IGBT是继MOSFET和Bipolar发明之后，近年来新研发的一种功率半导体器件，是Insulated Gate Bipolar Transistor 的简称。在电力电子技术中，它在直流至交流变换器、电机驱动器、电力调节、通讯电源等领域有着广泛的应用。
IGBT的工作原理是集成晶体管和双极晶体管的优点于一身，是一种3电极半导体开关器件。其与MOSFET最大的区别在于，可以承受更高的电压，而且也有Bipolar的DRM特性。IGBT集成了双极型开关管的优良导通性和MOS管的高输入阻抗特性,具有低导通电压降、高开关速度、低输入电容和高耐受偏压等特点。IGBT电路为大型电力电子设备提供更好的控制，它的特点是耐高压，高性能，而其应用范围非常广泛。
IGBT因其具有优异的导通性能、控制能力和断路性能，在虚拟仪器、电子设备、能源电力以及交通运输等领域得到了大量应用。在现代电力电子装置的快速发展中，相信IGBT半导体器件的应用会越来越广泛的。
